| 先进半导体制造产线的巨额投资，使FD-SOI、平面、FinFET制程之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马，尽管实际上目前备受关注的是其在平面制程范畴中的表现，但FD-SOI也具备升级至3D架构的能力。
事出有因：
1. 在中国，数月前由政府推出的《国家集成电路产业发展推进纲要》中的重要一环是启动由政府推动、社会力量参与的发展基金。该基金已于9月24日正式成立，明确重点推动半导体制造业，指导思想是集中力量办大事，摆脱阻碍整个中国半导体深入发展的制造瓶颈。
2. SamsungElectronics在近期宣布将从STMicroelectronics获得FD-SOI制程的授权，使FD-SOI技术的话语权再度放大，半导体业界对该制程的关注度上升。业界普遍预测Samsung的FD-SOI产能将于2015年1季度的前期释放。
3. UMC计划在厦门投资12寸晶圆厂的消息在业界搅起波澜。尽管争议不断，但全球晶圆大厂窥视中国半导体制造大饼的意图已明诏。
4. 中国本土代工大厂SMIC开始进入平面28nm制程量产阶段，而FD-SOI的最大优势之一在于可延续28nm的生命期。
5. FinFET产能目前有限，而且已释放产能的产线正处于良率爬升期。
专注于FD-SOI制程技术的“2014上海FD-SOI论坛”于2014年9月下旬举办，主办方包括SOI产业联盟、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SiMiT)以及VeriSilicon公司。SiMiT所长，中国科学院院士王曦再次主持了本次高峰论坛。该论坛是第二次在中国上海举办。
本篇文章将重点关注FD-SOI产业链的诸多环节在一年中发生的变化。 |
